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Sviluppo di inverter per applicazioni automotive: ROHM e LEADRIVE istituiscono un laboratorio congiunto

ROHM e Leadrive Technology (LEADRIVE), azienda cinese leader nella produzione di powertrain automotive per veicoli a nuove energie con sede centrale a Shanghai, hanno tenuto una cerimonia di inaugurazione del loro laboratorio congiunto per la tecnologia SiC, situato nella China (Shanghai) Pilot Free Trade Zone, ossia la zona di libero scambio pilota cinese di Shanghai (nuova area di Lingang).

Sviluppo di inverter per applicazioni automotive: ROHM e LEADRIVE istituiscono un laboratorio congiunto
Il Dr. Jie Shen, Presidente e Direttore Generale di LEADRIVE (a destra) stringe la mano di Shinya Kubota, (precedente) Amministratore Delegato di ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. (a sinistra) alla cerimonia di inaugurazione.

I dispositivi di potenza SiC stanno diventando sempre più popolari per l'impiego in caricabatterie di bordo dei veicoli e nei convertitori CC/CC. Si tratta di dispositivi che apportano parecchi vantaggi rispetto ai dispositivi di potenza basati sul silicio come gli IGBT. Un vantaggio chiave: perdite sensibilmente più basse sia durante la commutazione che la conduzione, unite alla capacità di funzionare a temperatura più elevata.

Dal 2017, nell'ambito di una reciproca collaborazione, avvengono minuziosi scambi tecnici tra ROHM e LEADRIVE in merito ad applicazioni del settore automotive che utilizzano dispositivi di potenza SiC. L'istituzione di un laboratorio di ricerca congiunto imperniato su moduli ed inverter di potenza dei veicoli che utilizzano i chip SiC MOSFET e i gate driver isolati di ROHM darà l'opportunità ad entrambe le aziende di accelerare ulteriormente lo sviluppo di soluzioni di potenza innovative.

"L'adozione di moduli di potenza che integrano chip in SiC per i veicoli a nuove energie diventerà un trend del settore nel giro del prossimo biennio. La commercializzazione di dispositivi maturi in SiC attraverso risorse recuperate in tutto il mondo e attività di R&D ci conferisce un vantaggio competitivo in quanto azienda produttrice Tier 1 nel settore automotive", dichiara il Dr. Jie Shen, Presidente e Direttore Generale di Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd. "ROHM è un validissimo partner fin dalla costituzione di LEADRIVE. Questo laboratorio di ricerca congiunto ci consentirà di approfondire la nostra collaborazione", continua il Dr. Shen.

"Nella veste di azienda pionieristica e leader nella fornitura di dispositivi di potenza SiC, ROHM vanta notevoli credenziali nel campo delle soluzioni di potenza di alta qualità che coniugano la tecnologia di dispositivi ai vertici del settore con i circuiti driver integrati, inoltre ci prodighiamo nella promozione dell'uso del SiC in applicazioni xEV", aggiunge il Dr. Kazuhide Ino, membro del C.d.A., dirigente aziendale, CSO e Direttore responsabile della business unit Power Device in ROHM Co., Ltd. "La comprensione delle esigenze dei clienti e dei trend di mercato è estremamente importante quando si sviluppa una tecnologia dei dispositivi di potenza SiC. LEADRIVE riveste un importante ruolo nella ricerca applicata sul SiC, in qualità di azienda produttrice di moduli di potenza ed inverter per il settore automotive. Attraverso questo laboratorio di ricerca congiunto possiamo consolidare la nostra partnership e contribuire all'innovazione tecnica di soluzioni di potenza per il settore automotive imperniate sul SiC”, conclude il Dr. Ino.

La terminologia elettronica in sintesi: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, ossia transistor bipolare a gate isolato)

Un transistor di potenza che abbina le caratteristiche di alta velocità di commutazione di un MOSFET alla bassa perdita di conduzione di un transistor bipolare.

Perdite di commutazione e conduzione

In transistor come i MOSFET e gli IGBT si verificano inevitabilmente perdite, a causa della particolare struttura di questi dispositivi. La perdita di commutazione si registra allorché si commuta lo stato del dispositivo (durante il funzionamento in commutazione). La perdita di conduzione è generata dalla componente della resistenza interna quando la corrente attraversa (stato ON) il dispositivo.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ossia transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo)

La struttura più comunemente usata nei transistor a effetto di campo (FET). Spesso adottati come elementi di commutazione.

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